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elektronische_schaltungstechnik:uebung_2.1.1 [2020/07/07 17:17]
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elektronische_schaltungstechnik:uebung_2.1.1 [2020/07/07 17:18]
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     - der Glättungskondensator $C$ wird durch eine offene Leitung ersetzt (ist also nicht mehr vorhanden)     - der Glättungskondensator $C$ wird durch eine offene Leitung ersetzt (ist also nicht mehr vorhanden)
   - Simulieren Sie die Schaltung 2 mit dem bisherig angegebenen Signal. Beschreiben Sie kurz den erwarteten und gemessenen Signalverlauf. <WRAP onlyprint>​ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ </​WRAP>​   - Simulieren Sie die Schaltung 2 mit dem bisherig angegebenen Signal. Beschreiben Sie kurz den erwarteten und gemessenen Signalverlauf. <WRAP onlyprint>​ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ </​WRAP>​
-  - Gehen Sie nun noch einen Schritt zurück und versuchen etwas mehr Strom über die Diode fließen zu lassen. In Schaltung 2 war der Strom durch $R_E$ begrenzt und die Diode damit noch nicht über $U_S=0,7V$ betrieben. Die Idee ist nun in **Schaltung 3** auch den Eingangswiderstand auf $R_E = 50 \Omega$ zu schalten (dies ist bei einigen Oszilloskopen möglich). Der Rest der Schaltung 3 gleicht Schaltung 2. \\ Simulieren Sie die Schaltung 3 mit dem bisherig angegebenen Signal. Beschreiben Sie kurz den erwarteten und gemessenen Signalverlauf.<​WRAP onlyprint>​ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ </​WRAP>​ +  - Gehen Sie nun noch einen Schritt zurück und versuchen etwas mehr Strom über die Diode fließen zu lassen. In Schaltung 2 war der Strom durch $R_E$ begrenzt und die Diode damit noch nicht über $U_S=0,7V$ betrieben. Die Idee ist nun in **Schaltung 3** auch den Eingangswiderstand auf $R_E = 50 \Omega$ zu schalten (dies ist bei einigen Oszilloskopen möglich). Der Rest der Schaltung 3 gleicht Schaltung 2. \\ Simulieren Sie die Schaltung 3 mit dem bisherig angegebenen Signal. Beschreiben Sie kurz den erwarteten und gemessenen Signalverlauf.<​WRAP onlyprint> ​\\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ </​WRAP>​ 
-  - Nun scheinen Sie dem Problem näher zu kommen. Sie variieren Eingangswiderstand auf $R_E = 500 \Omega$ (**Schaltung 4**) \\ Simulieren Sie die Schaltung 4 mit dem angegebenen Signal. Beschreiben Sie kurz den erwarteten und gemessenen Signalverlauf.<​WRAP onlyprint> ​\\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ </​WRAP>​+  - Nun scheinen Sie dem Problem näher zu kommen. Sie variieren Eingangswiderstand auf $R_E = 500 \Omega$ (**Schaltung 4**) \\ Simulieren Sie die Schaltung 4 mit dem angegebenen Signal. Beschreiben Sie kurz den erwarteten und gemessenen Signalverlauf.<​WRAP onlyprint>​ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ </​WRAP>​
   - Ihr Kollege gibt Ihnen den Tipp, dass der Verlauf (Siehe Bild) typisch sei für {{elektronische_schaltungstechnik:​aufgabe_2.1.1._schaltung4_diagramm.png?​300}}   - Ihr Kollege gibt Ihnen den Tipp, dass der Verlauf (Siehe Bild) typisch sei für {{elektronische_schaltungstechnik:​aufgabe_2.1.1._schaltung4_diagramm.png?​300}}
     - einen zu großen Sperrverzug / eine zu große Sperrverzugszeit (reverse recovery time $t_{rr}$). Diese ist in Tina über die Transitzeit (Transit Time $TT$) nachgebildet     - einen zu großen Sperrverzug / eine zu große Sperrverzugszeit (reverse recovery time $t_{rr}$). Diese ist in Tina über die Transitzeit (Transit Time $TT$) nachgebildet
     - eine zu große Sperrschichtkapazität (junction capacity $C_j$ oder diode capacity $C_D$).     - eine zu große Sperrschichtkapazität (junction capacity $C_j$ oder diode capacity $C_D$).
-  - Diese Werte sind in Tina TI über folgendes Vorgehen veränderbar:​ Doppeklick auf die Diode >> Klick auf ''​...''​ bei Type >> ​suchen ​der genannten Größen. \\ Sie wollen nun analysieren wie jeweils der Sperrverzug und die Sperrschichtkapazität auf den Spannungsverlauf (bei Schaltung 4) bewirkt. \\ Simulieren und beschreiben Sie dafür den Spannungsverlauf wenn +  - Diese Werte sind in Tina TI über folgendes Vorgehen veränderbar:​ Doppeklick auf die Diode >> Klick auf ''​...''​ bei Type >> ​Suchen ​der genannten Größen. \\ Sie wollen nun analysieren wie jeweils der Sperrverzug und die Sperrschichtkapazität auf den Spannungsverlauf (bei Schaltung 4) bewirkt. \\ Simulieren und beschreiben Sie dafür den Spannungsverlauf wenn 
     - einerseits den Sperrverzug auf $0s$ zurückgesetzt oder      - einerseits den Sperrverzug auf $0s$ zurückgesetzt oder 
     - andererseits die Sperrschichtkapazität auf $0F$ zurückgesetzt wird. <WRAP onlyprint>​ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ </​WRAP>​     - andererseits die Sperrschichtkapazität auf $0F$ zurückgesetzt wird. <WRAP onlyprint>​ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ </​WRAP>​
   - Wählen Sie statt der Diode $D=1N5400$ die Diode $D=1N4148$ und simulieren Sie nochmals die Schaltung 3 und Schaltung 1. \\ Wie verhält sich nun der Spannungsverlauf und warum? <WRAP onlyprint>​ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ </​WRAP>​   - Wählen Sie statt der Diode $D=1N5400$ die Diode $D=1N4148$ und simulieren Sie nochmals die Schaltung 3 und Schaltung 1. \\ Wie verhält sich nun der Spannungsverlauf und warum? <WRAP onlyprint>​ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ \\ </​WRAP>​
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